| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件可以包括：第一参考电压发生单元，适用于输出外部电压作为第一参考电压以及基于自接地电压在正方向上的预设电压来钳位第一参考电压；第一内部电压发生单元，适用于接收外部电压以与第一参考电压相对应的驱动能力来驱动内部电压端子；以及第二内部电压发生单元，适用于接收外部电压以基于自接地电压在正方向上比预设电压大的第二参考电压来驱动内部电压端子。 | ||
| 申请公布号 | CN105679354A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201510427925.9 | 申请日期 | 2015.07.20 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 权兑辉 |
| 分类号 | G11C5/14(2006.01)I | 主分类号 | G11C5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;毋二省 |
| 主权项 | 一种半导体器件包括：第一参考电压发生单元，适用于输出外部电压作为第一参考电压以及基于自接地电压在正方向上的预设电压来钳位所述第一参考电压；第一内部电压发生单元，适用于接收所述外部电压而以与所述第一参考电压相对应的驱动能力来驱动内部电压端子；以及第二内部电压发生单元，适用于接收所述外部电压以基于比所述预设电压大的第二参考电压来驱动所述内部电压端子。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||