半導体物品のエッチング方法

摘要

課題の一つは、エッチング薬液として高エッチングレイトのフッ硝酸を使用しても、ＳｉＯ２層がエッチング・ストップ層として確実に機能するシリコン系の半導体物品エッチング方法を提供することである。上記の課題は、ＳｉＯ２層上に直接積層したＳｉ層の自由表面側からエッチング液として濃度の高いフッ硝酸を使用してエッチングを行うとともに前記Ｓｉ層直下の前記ＳｉＯ２層の表面の少なくとも一部が露出する直前若しくは直後に前記フッ硝酸よりも濃度の低いフッ硝酸に切り替えてエッチング処理を進めることで解決できる。