| 发明名称 | 通过结晶湿法蚀刻制备的片上衍射光栅 | ||
| 摘要 | 描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例可包括：在(110)硅晶片衬底上形成光掩模，其中该光掩模包括平行四边形开口的周期性阵列，以及随后在所述（110）硅晶片衬底上进行时控湿法蚀刻以形成蚀刻进（110）硅晶片衬底中的衍射光栅结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103477254B | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201280016352.5 | 申请日期 | 2012.03.27 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 那允中;J·赫克;荣海生 |
| 分类号 | G02B5/18(2006.01)I;G02B5/00(2006.01)I | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张欣 |
| 主权项 | 一种用于形成衍射光栅结构的方法，包括：将湿蚀刻剂施加到(110)硅衬底，其中所述(110)硅衬底包括光掩模，所述光掩模包括平行四边形的周期性阵列；以及将衍射光栅结构形成于所述(110)硅衬底中，其中所述(110)硅衬底的{111}面在所述(110)硅衬底的蚀刻期间形成蚀刻阻挡层，其中所述衍射光栅结构包括锯齿状结构，所述锯齿状结构的相邻臂之间的角包括70.6度角和109.4度角的其中之一，并且其中所述衍射光栅结构具有垂直侧壁且所述侧壁具有可忽略的粗糙度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||