| 发明名称 |
半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
| 摘要 |
シリコン基板上に平面状シリコン層を形成し、前記平面状シリコン層上に第１の柱状シリコン層と第２の柱状シリコン層とを形成する第１の工程と、前記第１の柱状シリコン層と前記第２の柱状シリコン層上に酸化膜ハードマスクを形成し、前記平面状シリコン層上にゲート絶縁膜より厚い第２の酸化膜を形成する第２の工程と、前記第１の柱状シリコン層と前記第２の柱状シリコン層の周囲にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜の周囲に金属膜及びポリシリコン膜を成膜し、前記ポリシリコン膜の膜厚は前記第１の柱状シリコン層と前記第２の柱状シリコン層との間の間隔の半分より薄く、ゲート配線を形成するための第３のレジストを形成し、異方性エッチングを行うことにより前記ゲート配線を形成する第３の工程と、を有する |
| 申请公布号 |
JPWO2014049827(A1) |
申请公布日期 |
2016.08.22 |
| 申请号 |
JP20140516126 |
申请日期 |
2012.09.28 |
| 申请人 |
ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． |
发明人 |
舛岡 富士雄;原田 望;中村 広記;シン ナヴァブ;ツェン ツィシャン;カマス アシット ラマチャンドラ;ワン キンペン |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/44;H01L27/092;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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