| 发明名称 |
NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ELECTRICITY STORAGE DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SAME |
| 摘要 |
조성으로서 적어도 SnO를 함유하는 축전 디바이스용 부극 재료로서, 상기 축전 디바이스용 부극 활물질의 조성에 관해서 산화물 산환의 몰% 표시로 SnO 70∼95%, PO5∼30%(SnO 70%, PO30%는 포함하지 않음)의 조성을 함유하는 것을 특징으로 하는 축전 디바이스용 부극 활물질. |
| 申请公布号 |
KR20160105986(A) |
申请公布日期 |
2016.09.08 |
| 申请号 |
KR20167023702 |
申请日期 |
2010.10.21 |
| 申请人 |
NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD.;NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCEAND TECHNOLOGY |
发明人 |
YAMAUCHI HIDEO;NAGAKANE TOMOHIRO;SAKAMOTO AKIHIKO;SAKAI TETSUO;ZOU MEIJING |
| 分类号 |
H01M4/131;H01M4/02;H01M4/1393;H01M4/1395;H01M4/36;H01M4/485;H01M4/58;H01M10/0525 |
主分类号 |
H01M4/131 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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