タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜

摘要

二次イオン質量分析装置（Ｄ−ＳＩＭＳ）で検出されるモリブデン強度がタングステン強度の１万分の１以下であることを特徴とするタングステン焼結体スパッタリングターゲット。タングステン焼結体スパッタリングターゲットのモリブデンを低減させ、また焼結時に使用するＷ粉末の粒度分布を調整することにより、該タングステン焼結体ターゲットを用いてスパッタリングしたタングステン膜の比抵抗を低減させることを課題とする。【選択図】図１