积层陶瓷电容器

摘要

本发明之目的在于提供一种可实现成本既依又小型且大容量化的积层陶瓷电容器。其解决手段为，在交互积层有导体层3与介电质层2而成的积层陶瓷电容器1中，使前述导体层3朝积层方向弯曲且形成不均等的厚度。藉此，由于导体层3间之相对向面积会变大所以可谋求大容量化。又，由于没有必要将导体层3之厚度形成均等，所以可容易实现导体层3之薄层化。藉此，就可谋求积层陶瓷电容器之小型化及依积层数之增加而谋求大容量化。又，可利用导体层之薄层化来降低成本。

主权项

1.一种积层陶瓷电容器,其系交互积层有导体层与介电质层而成者,其特征为:前述导体层系朝积层方向弯曲且其厚度形成不均等。2.如申请专利范围第1项之积层陶瓷电容器,其中前述导体层系具有厚度为零的非形成部。3.如申请专利范围第2项之积层陶瓷电容器,其中前述导体层系朝前述非形成部之边缘部所相对之导体层方向弯曲。图式简单说明:图1系积层陶瓷电容器之一部分缺口的立体图。图2系积层陶瓷电容器之扩大截面图。图3系积层陶瓷电容器之积层步骤的说明图。图4系显示导电性糊使用量与静电容量之关系的图表。图5系习知积层陶瓷电容器之一部分缺口的立体图。图6系习知之另一积层陶瓷电容器之一部分缺口的立体图。