| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung schafft eine Halbleitervorrichtung mit einem Mehrfachdielektrikum, insbesondere einem ONO-Dreifachdielektrikum, mit einem Halbleitersubstrat (10) eines ersten Leitungstyps; einem im Halbleitersubstrat (10) vorgesehenen ersten Dotierungsbereich (20) eines zweiten Leitungstyps; einem im Halbleitersubstrat (10) vorgesehenen zweiten Dotierungsbereich (30) des zweiten Leitungstyps; einem zwischen dem ersten und dem zweiten Dotierungsbereich (20, 30) liegenden Kanalbereich (25); einem über dem Kanalbereich (25) liegenden Gate-Dielektrikum (40, 50, 60), welches zumindest drei Schichten aufweist; und einem über dem Gate-Dielektrikum (40, 50, 60) vorgesehenen Gate-Anschluß (70). Die unterste Schicht (40) des Gate-Dielektrikums (40, 50, 60) weist eine wesentlich kleinere Dielektrizitätskonstante auf als die oberste Schicht (60) des Gate-Dielektrikums (40, 50, 60).</p> |
