| 主权项 |
1.一种在功率放大器电路中主动调整第一双极性电晶体(BT1)之操作点所用之电路配置,其特征为:电流镜设有第一及第二双极性电晶体(BT1,BT2),第三和第四电晶体(T3,T4)分别设置在射极接地-放大器电路中,其中第三电晶体(T3)之控制输入端是与第二双极性电晶体(BT2)之集极相连接且第四电晶体(T4)之控制输入端是与第三电晶体(T3)之集极相连接,第五电晶体(T5)设置在集极接地电路中,其控制输入端是与第四电晶体(T4)之集极相连接且其射极是与第二双极性电晶体(BT2)之集极相连接,设有一种电压源,其经由电阻而与第二双极性电晶体(BT2)之集极相连接。2.如申请专利范围第1项之电路配置,其中第一双极性电晶体(BT1)之控制输入端及第二双极性电晶体(BT2)之控制输入端经由电阻(R1)而互相连接。3.如申请专利范围第1或第2项之电路配置,其中第五电晶体(T5)之集极,第四电晶体(T4)之集极经由电阻(R4)而与电压源相连接或第三电晶体(T3)之集极经由电阻(R3)而与电压源相连接。4.如申请专利范围第1或第2项之电路配置,其中各电晶体BT1,BT2,T3,T4和T5是npn-双极性电晶体或异质双极性电晶体。5.如申请专利范围第1或第2项之电路配置,其中第三电晶体(T3)之控制输入端经由电阻(R8)而与参考电位相连接,经由电阻(R6)而与第二双极性电晶体(BT2)之集极相连接或经由电阻(R7)而与第三电晶体(T3)之集极相连接。6.如申请专利范围第1或第2项之电路配置,其中须构成且配置第一和第二双极性电晶体(BT1,BT2),使它们具有相同之热特性。7.如申请专利范围第1或第2项之电路配置,其中第一和第二电晶体(BT1,BT2)直接相邻地配置在积体电路中。8.如申请专利范围第1或第2项之电路配置,其中第二双极性电晶体(BT2)是第一双极性电晶体(BT1)之一部份。9.如申请专利范围第1或第2项之电路配置,其中第一和第二双极性电晶体(BT1,BT2)是异质双极性电晶体,其特别是由GaAs-,InGaP-或SiGe-异质双极性电晶体制程所制成。10.如申请专利范围第1项之电路配置,其中在第二,第三,第四或第五电晶体(BT2,T3,T4,T5)之控制输入端和参考电位之间分别连接一个电容器(C)。11.如申请专利范围第1或第10项之电路配置,其中在第三或第四电晶体(T3,T4)之射极和参考电位之间分别连接一个电阻(R9)。12.一种在功率放大器电路中调整双极性电晶体(BT1)之至少二个操作点所用之电路配置,其特征为:-在第一切换状态中一种具有第一和第二双极性电晶体(BT1,BT2)之第一电流镜是受驱动的,使流经第二双极性电晶体(BT2)之集极之第一电流产生一种流经第一双极性电晶体(BT1)之集极之第一镜像电流,其中第二双极性电晶体(BT2)之集极电压经由主动回授电路而回授至第二双极性电晶体(BT2)之控制输入端;-在第二切换状态中一种具有第一和第六双极性电晶体(BT1,BT6)之第二电流镜是受驱动的,使流经第六双极性电晶体(BT6)之集极之第二电流产生一种流经第一双极性电晶体(BT1)之集极之第二镜像电流,其中第六双极性电晶体(BT6)之集极电压经由第二回授电路而回授至第六双极性电晶体(BT6)之控制输入端;-具有一个开关以便在第一和第二切换状态之间切换。13.如申请专利范围第12项之电路配置,其中第二双极性电晶体(BT2)之集极经由电阻(R2)而在电性上与电压源相连接。14.如申请专利范围第12或13项之电路配置,其中第二回授电路只是一条具有或不具有电阻之导线。15.如申请专利范围第12项之电路配置,其中第六双极性电晶体(BT6)之集极经由电阻(R13)而与电压源在电性上相连接。16.如申请专利范围第12项之电路配置,其中该主动回授电路具有电压放大器,特别是二个互相串联之射极接地放大器。17.如申请专利范围第12或第16项之电路配置,其中该主动回授电路具有低欧姆之输出级。18.如申请专利范围第17项之电路配置,其中该主动回授电路之输出级在第二双极性电晶体(BT2)之集极电压和控制输入端电压之间小于最小之临限电压差Vthr时是高欧姆的。19.如申请专利范围第12或第16项之电路配置,其中主动回授电路之输出级在集极接地电路中具有一个电晶体。20.如申请专利范围第12项之电路配置,其中第一电流镜是一种申请专利范围第1至11项中任一项之电路配置。21.如申请专利范围第12或第15项之电路配置,其中第六双极性电晶体(BT6)之控制输入端经由电阻(R14)而与第一双极性电晶体(BT1),第二双极性电晶体(BT2)相连接,其中此电阻(R14)较此种在非高欧姆状态中之主动回授电路之输出电阻大很多。22.如申请专利范围第12项之电路配置,其中此开关在第二切换状态时使第二双极性电晶体(BT2)之集极电压处于临限电压値处,其较第一切换状态中之集极电压还小。23.如申请专利范围第22项之电路配置,其中此开关具有一个平行于双极性电晶体(BT2)之电晶体(T7),其集极较佳是经由电阻(R12)而与第二双极性电晶体(BT2)之集极相连接,且此开关藉由控制输入端之控制电压之切换使得在第一切换状态时是不导通的且在第二切换状态时是导通的。24.如申请专利范围第12,13或23项之电路配置,其中第二双极性电晶体(BT2)之控制输入端经由电阻(R10)而与第六双极性电晶体(BT6)之控制输入端及第一双极性电晶体(BT1)之控制输入端都相连接。25.如申请专利范围第12项之电路配置,其中第一双极性电晶体(BT1)之控制输入端经由电阻(R1)而与第二双极性电晶体(BT2)之控制输入端及第六双极性电晶体(BT6)之控制输入端都相连接。26.如申请专利范围第12或第25项之电路配置,其中第一双极性电晶体(BT1)是功率放大器级之一部份,此功率放大器级具有一种经由耦合电容(C1)而连接至第一双极性电晶体(BT1)之控制输入端之放大器输入端。27.如申请专利范围第26项之电路配置,其中此放大器级是一种射极接地放大器。28.如申请专利范围第12或第13项之电路配置,其中须构成且配置第一,第二及第六双极性电晶体(BT1,BT2和BT6),使它们具有相同之热特性。29.如申请专利范围第12或第13项之电路配置,其中第一,第二和第六双极性电晶体(BT1,BT2,BT6)直接相邻地配置在积体电路中。30.如申请专利范围第28项之电路配置,其中第一,第二和第六双极性电晶体(BT1,BT2,BT6)直接相邻地配置在积体电路中。31.如申请专利范围第12或第13项之电路配置,其中第一,第二和第六双极性电晶体(BT1,BT2,BT6)是异质双极性电晶体,特别是由一种GaAs-,InCaP-或SiGe-异质双极性电晶体制程所制成。32.如申请专利范围第28项之电路配置,其中第一,第二和第六双极性电晶体(BT1,BT2,BT6)是异质双极性电晶体,特别是由一种GaAs-,InGaP-或SiGe-异质双极性电晶体制程所制成。33.如申请专利范围第29项之电路配置,其中第一,第二和第六双极性电晶体(BT1,BT2,BT6)是异质双极性电晶体,特别是由一种GaAs-,InGaP-或SiGe-异质双极性电晶体制程所制成。34.如申请专利范围第1或第12项之电路配置,其中此电路配置使用在一种行动电话中。图式简单说明:第一图传统式操作点调整所用之电路配置。第二图本发明之电路配置,其用来主动地调整功率放大器之操作点。第三图本发明之电路配置,其用来在功率放大器电路中调整双极性电晶体(BT1)之至少二个操作点。 |
