| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:具有主面并沿该主面置入半导体元件之半导体基板;在前述主面上形成之层间绝缘膜;配置在用前述层间绝缘膜而隔开之多层上之导电性配线;在前述多层中包含两层以上之层,与前述配线配置在同一层上之导电性虚设配线;导电性虚设栓塞,该虚设栓塞有选择性地埋设在前述层间绝缘膜中,使前述虚设配线在前述两层以上之层之间相互连接,而且该虚设栓塞与前述虚设配线一起连接到稳定电位线,前述稳定电位线包含在前述配线中,以低电位侧电源线或高电位侧电源线传送之电位之基准,保持一定之电位。2.一种半导体装置,其特征在于,具备:具有主面,并在前述主面上有选择性地形成将该主面分离为多个区域之元件分离构造,而且在前述多个区域置入半导体元件之半导体基板;在前述主面上形成之层间绝缘膜;配置在藉由前述层间绝缘膜而隔开之多层上之导电性配线;在前述多层中包含两层以上之层,与前述配线配置在同一层上之导电性虚设配线;有选择性地埋设在前述层间绝缘膜中,使前述虚设配线在前述两层以上之层之间相互连接之导电性虚设栓塞;在前述元件分离构造之一部分中形成之导电层;有选择性地埋设在前述层间绝缘膜中,使前述导电层与前述虚设配线连接之另一导电性栓塞。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中前述虚设配线和前述虚设栓塞连接到稳定电位线,前述稳定电位线包含在前述配线中,以低电位侧电源线或高电位侧电源线传送之电位为基准,保持一定之电位。4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中前述多个区域或积体电路中之多个功能块对应;前述多个功能块分别和前述元件分离构造一起被前述导电层所包围。5.如申请专利范围第2至4项中任一项之半导体装置,其中前述元件分离构造之一部分上,形成沟,前述沟埋入前述导电层。6.如申请专利范围第2到4项中任一项之半导体装置,其中前述半导体基板还具有埋入绝缘层;前述元件分离构造包含连接到前述埋入绝缘层之部分;前述导电层有选择性地贯穿前述元件分离构造之前述部分,并到达前述埋入绝缘层。7.如申请专利范围第1.3或4项之半导体装置,其中前述虚设配线配置成将前述两层以上之层中之至少一层之前述配线所包含之配线部分夹持住。8.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中前述虚设配线配置成还在前述至少一层之上层覆盖前述配线部分之上方。9.如申请专利范围第1.3或4项之半导体装置,其中前述稳定电位线为前述低电位侧电源线、前述高电位侧电源线、包含在前述配线中并传送预充电电位之预充电线、或者包含在前述配线中传送基板电位之基板电位线之任何一种。10.如申请专利范围第1至4项中任一项之半导体装置,其中前述虚设配线在沿前述主面之剖面形状中,具有沿延伸方向反复凹凸之部分。11.如申请专利范围第1至4项中任一项之半导体装置,其中前述虚设配线在沿前述主面之垂直之剖面形状中,具有沿延伸方向反复凹凸之部分。12.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中前述反复凹凸部分中之凸起部分,连接配置在下层之虚设配线部分。13.如申请专利范围第1至4项中任一项之半导体装置,其中还具备钝化膜,该钝化膜覆盖前述多层中之最上层比前述层间绝缘膜之热传导系数大。14.如申请专利范围第13项之半导体装置,其中还具备与前述钝化膜接触之散热件。15.如申请专利范围第14项之半导体装置,其中在前述最上层,还配置有前述虚设配线;前述半导体装置还具备导电性之另一虚设栓塞,该虚设栓塞有选择性地埋设在前述钝化膜中,使前述散热件与前述虚设配线之前述最上层所属部分连接。图式简单说明:第一图为实施形态1之装置之制造作业图。第二图为第一图之部分放大图。第三图为实施形态1之装置之制造作业图。第四图为实施形态1之装置之制造作业图。第五图为实施形态1之装置之制造作业图。第六图为实施形态1之装置之制造作业图。第七图为显示出实施形态1之装置构造之剖面图。第八图为显示出实施形态1之装置构造之剖面立体图。第九图为显示出实施形态1装置之另一构造例之剖面立体图。第十图为说明实施形态2装置之动作原理之模式图。第十一图为说明实施形态2装置之动作原理之模式图。第十二图为显示出实施形态2装置之构造例之剖面图。第十三图为藉由表格形式而显示出实施形态2之装置之构造例之说明图。第十四图为显示出实施形态2装置之另一构造例之剖面图。第十五图为显示出实施形态2装置之另一构造例之剖面图。第十六图为显示出实施形态2装置之另一构造例之剖面图。第十七图为显示出实施形态2装置之另一构造例之剖面图。第十八图为显示出实施形态3装置之构造例之剖面图。第十九图为显示出实施形态3装置之另一构造例之剖面图。第二十图为显示出实施形态3装置之另一构造例之剖面图。第二十一图为显示出实施形态3装置之另一构造例之剖面图。第二十二图为显示出实施形态4装置之构造例之剖面立体图。第二十三图为显示出实施形态4装置之另一构造例之剖面立体图。第二十四图为显示出实施形态4装置之另一构造例之剖面立体图。第二十五图为显示出实施形态4装置之应用例之俯视图。第二十六图为显示出实施形态4之装置之应用例之俯视图。第二十七图为显示出第1习知装置之构造之剖面图。第二十八图为显示出第1习知装置之构造之剖面图。第二十九图为显示出第1习知装置之构造之剖面图。第三十图为显示出第2习知装置之构造之剖面图。第三十一图为显示出第2习知装置之构造之剖面图。第三十二图为显示出第2习知装置之构造之剖面图。第三十三图为显示出第2习知装置之构造之剖面图。第三十四图为显示出第2习知装置之构造之剖面图。第三十五图为显示出第2习知装置之构造之剖面图。第三十六图为显示出第2习知装置之构造之剖面图。 |
