| 发明名称 |
ＬＥＤ元件 |
| 摘要 |
不会产生起因于邻接于活性层之n型半导体层的晶格不匹配的课题，确保活性层内之水平方向的电流扩散，提升发光效率的LED元件。
LED元件(1)系于支持基板(11)上使氮化物半导体层c轴成长所成的元件，具有以n型氮化物半导体所构成的第1半导体层(15)、电流扩散层(3)、以氮化物半导体所构成的活性层(17)、及以p型氮化物半导体所构成的第2半导体层(19)。电流扩散层(3)，系具有由InxGa1-xN(0<x≦0.05)所成之第3半导体层，与由n-AlyGa1-yN(0<y≦1)所成之第4半导体层的异质连接，第3半导体层的膜厚为10nm以上25nm以下。
|
| 申请公布号 |
TWI535054 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
| 申请号 |
TW103100646 |
申请日期 |
2014.01.08 |
| 申请人 |
牛尾电机股份有限公司 |
发明人 |
三好晃平;月原政志 |
| 分类号 |
H01L33/02(2010.01);H01L33/32(2010.01) |
主分类号 |
H01L33/02(2010.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种LED元件，系于支持基板上使氮化物半导体层c轴成长所成的LED元件，其特征为：具有：第1半导体层，系以n型氮化物半导体所构成；电流扩散层，系形成于前述第1半导体层的上层；活性层，系形成于前述电流扩散层的上层，以氮化物半导体所构成；及第2半导体层，系形成于前述活性层的上层，且以p型氮化物半导体所构成；前述电流扩散层，系具有由InxGa1-xN(0<x≦0.05)所成之第3半导体层，与由n-AlyGa1-yN(0<y≦1)所成之第4半导体层的异质连接，前述第3半导体层的膜厚为10nm以上25nm以下。
|
| 地址 |
日本 |
