发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
以显示装置代表之半导体装置,本发明之一目的在于提供高度可靠半导体装置,其可应用于大型或高解析度萤幕,具有高显示品质,并可稳定操作。藉由使用包括Cu做为长引线布线之导电层,可抑制布线电阻增加。此外,包括Cu之导电层系以未与其中形成TFT之通道区的半导体层重叠之方式提供,并由包括氮化矽之绝缘层围绕,藉此可避免Cu之扩散:因而可制造高度可靠半导体装置。具体地,半导体装置之一实施例的显示装置,当其尺寸或解析度增加时,可具有高显示品质及稳定地操作。 |
申请公布号 |
TWI535027 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
申请号 |
TW099133860 |
申请日期 |
2010.10.05 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平;小山润;鱼地秀贵;中村康男;菅尾惇平 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01);G02F1/1368(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种半导体装置,包含:第一绝缘层,于基板之上,包括氮化矽;第一导电层,于该第一绝缘层之上,包括Cu;第二导电层,于该第一导电层之上,覆盖该第一导电层;第二绝缘层,于该第二导电层之上,包括氮化矽;岛形半导体层,于该第二绝缘层之上;一对第三导电层,于该岛形半导体层上之,做为源极电极及汲极电极;第三绝缘层,于该对第三导电层之上,包括氮化矽;第四导电层,经由设于该第三绝缘层中之开口而电性连接至该对第三导电层其中之一;第五导电层,包括Cu,并与该第四导电层重叠;第四绝缘层,包括氮化矽,并覆盖该第五导电层;及第六导电层,经由设于该第三绝缘层及该第四绝缘层中之开口而电性连接至该对第三导电层其中之另一;其中该第一导电层及该第五导电层并未与其中形成薄膜电晶体之通道的该岛形半导体层重叠。 |
地址 |
日本 |