半导体装置、功率二极体及整流器

摘要

在于提供具有例如耐高压、低逆向饱合电流、及高开启状态电流等电特征之半导体装置。特别地，目的在于提供包含非线性元件的功率二极体及整流器。本发明的实施例是半导体装置，其包含：第一电极；闸极绝缘层，遮盖第一电极；氧化物半导体层，接触闸极绝缘层及与第一电极重叠；成对的第二电极，遮盖氧化物半导体层的端部；绝缘层，遮盖成对的第二电极以及氧化物半导体层；以及，第三电极，接触绝缘层以及在成对的第二电极之间。成对的第二电极接触氧化物半导体层的端表面。

主权项

一种半导体装置，包括：第一电极；闸极绝缘层，在该第一电极上；氧化物半导体层，在该闸极绝缘层上；成对的第二电极，遮盖该氧化物半导体层的端部；绝缘层，遮盖该成对的第二电极以及该氧化物半导体层；以及第三电极，在该绝缘层上，其中，该氧化物半导体层与该第一电极重叠，其中，该第三电极与该氧化物半导体层重叠，其中，该成对的第二电极接触该氧化物半导体层在通道长度方向的第一端表面，其中，该成对的第二电极接触该氧化物半导体层在通道宽度方向的第二端表面，以及其中，该氧化物半导体层在该通道宽度方向的该第二端表面面对该第三电极，且该氧化物半导体层在该通道宽度方向的该第二端表面与该第三电极之间夹有该绝缘层。