具有界面层之非平面量子井装置及用以形成此装置之方法

摘要

数种用于形成非平面量子井结构的技术。特别是，该量子井结构可用IV或III-V族半导体材料实作以及包含鳍片结构。在一案例中，备置一种非平面量子井装置，其系包含有一基板(例如，SiGe或GaAs缓冲层上矽)、IV或III-V族材料障壁层(例如，SiGe或GaAs或AlGaAs)及一量子井层的一量子井结构。在该量子井结构中形成一鳍片结构，以及备置一界面层于该鳍片结构上方。可沉积遍及该鳍片结构的一闸极金属。在该鳍片结构的两端可分别形成汲极/源极区。

主权项

一种用于形成非平面量子井结构的方法，其包含下列步骤：备置具有一基板、一IV或III-V族材料障壁层、和一量子井层的一量子井结构；选择性蚀刻该量子井结构以形成一鳍片结构；在该鳍片结构上方备置一界面层，该界面层之材料的带隙高于该鳍片结构之材料的带隙；在该界面层上方备置一高k介电层；以及在该高k介电层上方横越该鳍片结构备置闸极金属。