发明名称 用于多晶片模组之晶粒的静电放电防护
摘要 一多晶片模组之晶粒的静电放电防护被描述。在该晶粒形成后及该多晶片模组组合前,一接触件具有一外露表面。该接触件系用于该多晶片模组之晶粒间互连。该接触件系在该多晶片模组组合后用于该多晶片模组之内部节点。一驱动电路系耦接至该接触件并具有一第一输入阻抗。一放电电路系耦接至该接触件以提供该驱动电路之静电放电防护并具有与第一放电路径有关之第一顺向偏压阻抗。该第一顺向偏压阻抗系该第一输入阻抗之分数。
申请公布号 TWI534980 申请公布日期 2016.05.21
申请号 TW100122586 申请日期 2011.06.28
申请人 吉林克斯公司 发明人 卡普 詹姆士;哈特 麦克J;费克鲁汀 莫瀚;瑞利 史帝芬T
分类号 H01L23/60(2006.01) 主分类号 H01L23/60(2006.01)
代理机构 代理人 阎启泰;林景郁
主权项 一种用于一多晶片模组之晶粒,包括:接触件,在该晶粒形成后及该多晶片模组组合前具有一外露表面,其中,该接触件系用于该多晶片模组之一晶粒间互连,且该接触件系该多晶片模组组合后之多晶片模组之一内部节点;驱动电路,耦接至该接触件并具有一第一输入阻抗;放电电路,耦接至该接触件以提供该驱动电路之静电放电防护;其中,该放电电路具有与第一放电路径有关之第一顺向偏压阻抗、与第二放电路径有关之逆向偏压阻抗以及与第三放电路径有关之第二顺向偏压阻抗;其中,该第一输入阻抗对该第一顺向偏压阻抗、该逆向偏压阻抗以及该第二顺向偏压阻抗之各者的第一比值系至少大约4比1以提供该静电放电防护。
地址 美国