| 摘要 |
제 1 주면과 제 2 주면을 갖는 반도체 기판의 그 제 2 주면에, 가속 에너지가 상이한 복수 회의 이온 주입으로 제 1 도전형 불순물을 주입하고, 그 반도체 기판에 제 1 불순물 영역을 형성하는 제 1 공정과, 그 제 2 주면에, 그 복수 회의 이온 주입보다 낮은 가속 에너지로 제 2 도전형 불순물을 이온 주입하고, 그 반도체 기판에, 그 제 1 불순물 영역과의 사이에 불순물이 주입되지 않는 무주입 영역을 남기도록 제 2 불순물 영역을 형성하는 제 2 공정과, 그 제 1 도전형 불순물로 버퍼층을 형성하고, 그 제 2 도전형 불순물로 콜렉터층을 형성하고, 그 버퍼층과 그 콜렉터층의 사이에 그 제 1 도전형 불순물과 그 제 2 도전형 불순물이 확산되지 않는 무확산 영역을 남기도록 그 반도체 기판에 열처리를 실시하는 열처리 공정과, 그 콜렉터층에 접하는 콜렉터 전극을 형성하는 공정을 구비한다. |
