| 发明名称 | 一种MEMS器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述MEMS器件包括：半导体衬底；背板，位于所述半导体衬底上方；振膜，位于所述背板上方，包括间隔设置的第一振膜和第二振膜；牺牲层，位于所述振膜和所述背板之间；其中，所述第一振膜与所述背板之间形成有空腔，所述空腔下方的所述半导体衬底中形成有背腔；在所述第一振膜上形成有第一电极接触，所述第二振膜上形成有第二电极接触。本发明在所述MEMS麦克风中设计另一电容与该MEMS麦克风电容串联，通过调节另一电容的电容值来达到调节MEMS麦克风电容上分配的电压，使MEMS麦克风上分配到的电压为其工作电压，IC电路可以统一生产，减小了成本，有利于批量化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN105776124A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201410837787.7 | 申请日期 | 2014.12.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何昭文 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I;H04R19/04(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种MEMS器件，包括：半导体衬底；背板，位于所述半导体衬底上方；振膜，位于所述背板上方，包括间隔设置的第一振膜和第二振膜；牺牲层，位于所述振膜和所述背板之间；其中，所述第一振膜与所述背板之间形成有空腔，所述空腔下方的所述半导体衬底中形成有背腔；在所述第一振膜上形成有第一电极接触，在所述第二振膜上形成有第二电极接触。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||