| 摘要 |
Es wird ein Wafer-Herstellungsverfahren zum Herstellen eines hexagonalen Einkristall-Wafers aus einem hexagonalen Einkristall-Ingot offenbart. Das Wafer-Herstellungsverfahren schließt einen Trennstartpunktausbildungsschritt mit einem Einstellen des Brennpunkts eines Laserstrahls, der eine Transmissionswellenlänge für den Ingot aufweist, auf eine von der oberen Fläche des Ingots vorbestimmte Tiefe im Inneren des Ingots, wobei die Tiefe der Dicke des herzustellenden Wafers entspricht, und als Nächstes einem Aufbringen des Laserstrahls auf die obere Fläche des Ingots bei einem relativen Bewegen des Brennpunkts und des Ingots ein, um dadurch eine modifizierte Schicht parallel zu der oberen Fläche und Risse auszubilden, die sich von der modifizierten Schicht entlang einer c-Ebene in dem Ingot erstrecken, um so einen Trennstartpunkt auszubilden. Das Wafer-Herstellungsverfahren schließt ferner einen Wafer-Trennschritt mit einem Eintauchen des Ingots in Wasser nach dem Ausbilden des Trennstartpunkts in dem Ingot und dann ein Aufbringen einer Ultraschallschwingung auf den Ingot ein, um dadurch ein dem Wafer entsprechendes plattenförmiges Element von dem Ingot zu trennen. |
