发明名称 有机发光二极管封装工艺用沉积装置
摘要 本发明涉及一种有机发光二极管封装工艺用沉积装置,本发明的有机发光二极管封装工艺用沉积装置,对配置在腔室部内的有机发光二极管基板沉积原料而进行封装(encapsulating),其特征在于,包括:多个流动部,配置在所述腔室部内,内部形成有供原料流动的流动通道,所述多个流动部的端面彼此相接;喷嘴部,一体安装于所述多个流动部,在所述喷嘴部的内部形成有与所述流动部连接的喷射通道,用于将从所述流动部供给的原料喷射到基板侧;以及原料供给部,向所述多个流动部分别供给气化的原料。由此,提供一种能够在无间断区段的情况下,以均匀的厚度对大面积基板沉积原料的有机发光二极管封装工艺用沉积装置。
申请公布号 CN104603968B 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201280074524.4 申请日期 2012.08.28
申请人 SNU精度株式会社 发明人 柳云善;南宫晟泰;李泰成;高在亿
分类号 H01L51/56(2006.01)I;H05B33/04(2006.01)I 主分类号 H01L51/56(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 宋融冰
主权项 一种有机发光二极管封装工艺用沉积装置,对配置在腔室部内的有机发光二极管基板沉积原料以进行封装(encapsulating),其特征在于,包括:多个流动部,配置在所述腔室部内,内部形成有供原料流动的流动通道,所述多个流动部的端面相互接触;喷嘴部,一体安装于所述多个流动部,在所述喷嘴部的内部形成有与所述流动部连接的喷射通道,用于将从所述流动部供给的原料喷射到基板侧;以及原料供给部,向所述多个流动部分别供给气化的原料,在沿所述喷射通道的长度方向切开的剖面中,所述原料的喷射侧的端部比所述原料的流入侧的端部更长,沿所述喷射通道的长度方向切开的剖面长度从原料流入侧的端部向原料喷射侧的端部逐渐变长,所述喷嘴部包括倾斜部,所述倾斜部配置在所述多个流动部的接触边界面的上侧,且其剖面为三角形形状,所述倾斜部的一表面构成任一个所述喷射通道的表面,所述倾斜部的另一表面构成另一个喷射通道的表面,由此以所述倾斜部为中心,一对喷射通道彼此相邻而配置。
地址 韩国忠清南道