发明名称 固态图像拾取器件及其制造方法
摘要 提供一种在像素中具有电荷保持部分的固态图像拾取器件,其中,无论电荷保持部分的杂质浓度如何,都提高从电荷保持部分到FD的电荷传输效率。所以固态图像拾取器件具有:光电转换部分;电荷保持部分,其包括第一传导类型第一半导体区;和传输部分,其包括传输栅电极,所述传输栅电极控制电荷保持部分与感测节点之间的电势。电荷保持部分包括控制电极,第二传导类型第二半导体区设置在控制电极与传输栅电极之间的半导体区的表面上,所述第二半导体区具有比第一半导体区的杂质浓度高的杂质浓度,第一传导类型第三半导体区设置在第二半导体区下面,第三半导体区的杂质浓度比第一半导体区的杂质浓度高。
申请公布号 CN102549748B 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN200980161788.1 申请日期 2009.10.09
申请人 佳能株式会社 发明人 山下雄一郎;小林昌弘;大贯裕介
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 卜荣丽
主权项 一种包括多个像素的固态图像拾取器件,其特征在于所述多个像素中的每个包括:光电转换部分,其被构造为根据入射光产生电荷;电荷保持部分,其被构造为包括第一传导类型第一半导体区,所述第一传导类型第一半导体区将由所述光电转换部分产生的电荷保持在与所述光电转换部分不同的部分中;和传输部分,其被构造为包括传输栅电极,所述传输栅电极控制所述电荷保持部分与感测节点之间的电势,其中,所述电荷保持部分包括控制电极,所述控制电极通过绝缘膜设置在所述第一半导体区上方,其中,第二传导类型第二半导体区设置在所述控制电极与所述传输栅电极之间的半导体区的表面上,所述第二半导体区具有比所述第一半导体区的杂质浓度高的杂质浓度,其中,第一传导类型第三半导体区设置在所述第二半导体区下面、从所述电荷保持部分延伸到所述感测节点的电荷路径中,其中,所述第三半导体区的杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高,并且其中,在截面图中所述控制电极(112)的面积大于所述传输栅电极(113)的面积。
地址 日本东京