通过注入降低结漏

摘要

本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成第一III‑V族层。第一III‑V族层包括具有第一表面形态的表面。该方法包括穿过表面对第一III‑V族层实施离子注入工艺。离子注入工艺将第一表面形态改变为第二表面形态。在实施离子注入工艺之后，该方法包括在第一III‑V族层上方形成第二III‑V族层。第二III‑V族层的材料成分与第一III‑V族层的材料成分不同。本发明还提供了通过注入降低结漏。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成第一III‑V族层，所述第一III‑V族层包括具有第一表面形态的表面；穿过所述表面对所述第一III‑V族层实施离子注入工艺，所述离子注入工艺将所述第一表面形态改变为第二表面形态，其中，所述离子注入工艺注入的掺杂剂离子聚集在所述第一III‑V族层的表面附近和所述表面下方的所述第一III‑V族层的区域中；以及在实施所述离子注入工艺之后，在所述第一III‑V族层上方形成第二III‑V族层，其中，所述第二III‑V族层的材料成分与所述第一III‑V族层的材料成分不同，其中，所述掺杂剂离子包括：选自由氩、碳、氮、和氟所构成的组的材料，其中，所述离子注入工艺为轻注入工艺。