注入形成具有叠加漂移区的高压PMOS晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种注入形成具有叠加漂移区的高压PMOS晶体管，包括P型硅衬底；位于P型硅衬底中的深N阱；位于深N阱中的水平方向且掺杂浓度和结深按序同时依次递增的叠加漂移区。本发明还提供一种注入形成具有叠加漂移区的高压PMOS晶体管的制造方法，包括提供P型硅衬底；向P型硅衬底中注入N型杂质，以扩散形成深N阱；沿深N阱中的水平方向分别注入不同掺杂浓度的P型杂质，在深N阱的水平方向中依次扩散形成掺杂浓度和结深按序同时依次递增的叠加漂移区。本发明通过用多重漂移区的组合作为高压PMOS的漂移区，使不同的漂移区中的P型杂质注入叠加在高压PMOS的漂移区中可以形成更好的浓度梯度，以使高压PMOS获得更好的击穿电压与导通电阻的特性。

主权项

一种注入形成具有叠加漂移区的高压PMOS晶体管，其特征在于，包括：P型硅衬底；位于所述P型硅衬底中的深N阱；位于所述深N阱中的水平方向且掺杂浓度和结深按序同时依次递增的叠加漂移区；所述叠加漂移区采用多步P型杂质注入，以分别扩散形成对应的漂移区，不同漂移区的掺杂浓度和结深均存在差异；所述叠加漂移区形成的过程如下：第一次向所述深N阱中注入掺杂的P型杂质，在所述深N阱中扩散形成掺杂浓度和结深同时最小的第一漂移区；第二次至第n次分别向所述深N阱中邻接所述第一漂移区一侧的水平方向注入不同掺杂浓度的P型杂质，在所述深N阱中邻接所述第一漂移区一侧的水平方向，依次扩散形成掺杂浓度和结深按序同时依次递增的第二漂移区至第n漂移区；其中，n为大于等于2的整数。