| 发明名称 |
ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, RESIST-COATED MASK BLANK, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND PHOTOMASK |
| 摘要 |
감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은, (A) 특정의 일반식 (I)로 나타나는 기에 의하여, 페놀성 수산기의 수소 원자가 치환된 구조를 갖는 고분자 화합물, 및 (B) 활성광선 또는 방사선의 조사에 의하여 산을 발생하는 화합물을 함유한다. |
| 申请公布号 |
KR20160106680(A) |
申请公布日期 |
2016.09.12 |
| 申请号 |
KR20167021473 |
申请日期 |
2015.01.20 |
| 申请人 |
FUJIFILM CORPORATION |
发明人 |
TSUCHIMURA TOMOTAKA |
| 分类号 |
G03F7/004;C08F12/16;C08F12/20;C08F12/22;C08F12/32;C08F16/06;C08F212/14;G03F1/22;G03F7/038;G03F7/039;G03F7/20 |
主分类号 |
G03F7/004 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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