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发明名称 Verfahren zur Dotierung eines Halbleiterkristalls mittels Diffusion
摘要
申请公布号 CH505467(A) 申请公布日期 1971.03.31
申请号 CH19700010375 申请日期 1970.07.09
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 KESSLER,HEINRICH;SCHEMBS,WOLFGANG
分类号 H01L21/00;H01L21/225;(IPC1-7):H01L7/34;B01J17/34 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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