| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé pour accroître l'effet de piégeage interne des corps semi-conducteurs. Elle concerne plus particulièrement la génération de précipités d'atomes d'oxygène qui seront ultérieurement utilisés, comme centres de piégeage d'impuretés non désirées, au cours des différents cycles thermiques auxquels sont habituellement soumis ces corps dans la fabrication des circuits intégrés à semiconducteurs. Ce procédé est caractérisé en ce que le corps servi-conducteur est soumis à une étape de recuit thermique à une température comprise entre 750 et 900 degrés C et d'une durée comprise entre 1 et 8 heures. Le coefficient de précipitabilité K1050 , qui caractérise le nombre de précipité, pour une concentration initiale Oo de 3030PPMA, varie de 0,3 (absence de recuit : courbe IV) à environ 2 (recuit à 825 degrés C pendant 2 heures : courbe Il) soit un gain d'environ 7.
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