| 发明名称 | 功率MOSFET | ||
| 摘要 | 在本发明的功率MOSFET实施例中，功率MOSFET提供高度线性的转移特性，并且可以有效地用于线性功率放大器中，在沟道区域(116)和漂移区域(112)之间优选地提供相对高掺杂的过渡区域(117)。耗尽时，该过渡区域提供一势垒，该势垒支持独立的同时为线性和电流饱和模式。 | ||
| 申请公布号 | CN1211863C | 申请公布日期 | 2005.07.20 |
| 申请号 | CN01814460.8 | 申请日期 | 2001.06.05 |
| 申请人 | 硅无线公司 | 发明人 | B·J·巴利加 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/36;H01L29/417;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种集成功率器件包括：一其中具有反型层沟道的绝缘栅场效应晶体管，在正向导通状态工作期间，该沟道在线性工作模式下工作而晶体管的漏区域同时在速度饱和工作模式下工作。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||