硅基肖特基垫垒红外光检测器

摘要

通过在一光波导的一部分上设置一含金属的条(优选地，为硅化物)，一种硅基红外(IR)光检测器被形成在硅绝缘体(silicon－on－insulator，SOI)结构内，其中所述光波导形成在所述SOI结构的一个平面硅表层(即，“平面SOI层”)内，所述平面SOI层的厚度小于一微米。由于所述基于SOI的结构具有相对较低的暗电流，并且能够采用相对较小的表面硅化物条收集光电流，所述光检测器可以在室温下工作。根据需要，所述平面SOI层可以掺杂，并且所述硅化物条的几何结构可以进行改进，以获得相对于现有技术的硅基光检测器改进的结果。

主权项

1、一种单体结构，其包括一集成在硅绝缘体(SOI)平台上的肖特基势垒硅基红外光电检测器，所述平台具有一光波导，所述单体结构包括一具有平面SOI表层的SOI结构，所述平面SOI表层的厚度小于一微米，并形成所述光波导的至少一部分，以支持光信号的传输；一金属条，沿着所述光波导内部的传播方向设置在所述平面SOI层的一部分上，所述金属条形成一个具有所述光波导的肖特基势垒；一第一欧姆触点，其设置在所述平面SOI层上；和一第二欧姆触点，其设置在所述金属条上，其中在所述第一和第二欧姆接点之间施加的偏压产生来自所述硅化物的光电流输出，当所述光信号沿着所述光波导传播时作为所述光信号中照射在所述金属条上的那部分的函数。