| 发明名称 | 显示装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：绝缘基体；形成在上述基体上的半导体层，包括沟道区、源区和漏区；形成在上述沟道区、源区和漏区上的绝缘膜；和形成在上述绝缘膜上的栅电极，其中，在上述沟道区和上述源区之间、或者在上述沟道区和上述漏区之间至少形成有一个LDD区；并且上述绝缘膜在上述沟道区上具有第一厚度，在上述LDD区上具有第二厚度，在上述源区或漏区上具有第三厚度，且上述第一厚度大于上述第二厚度，上述第二厚度大于上述第三厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1881617A | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN200610094384.3 | 申请日期 | 2002.02.06 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 田边英夫;下村繁雄;大仓理;栗田雅章;木村泰一;中村孝雄 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01);G02F1/1362(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种显示装置，包括：绝缘基体；形成在上述基体上的半导体层，包括沟道区、源区和漏区；形成在上述沟道区、源区和漏区上的绝缘膜；和形成在上述绝缘膜上的栅电极，其中，在上述沟道区和上述源区之间、或者在上述沟道区和上述漏区之间至少形成有一个LDD区；并且上述绝缘膜在上述沟道区上具有第一厚度，在上述LDD区上具有第二厚度，在上述源区或漏区上具有第三厚度，且上述第一厚度大于上述第二厚度，上述第二厚度大于上述第三厚度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||