半导体膜、半导体器件和它们的生产方法

摘要

通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜，有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜，典型地，非晶硅膜，用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体，膜包含高浓度，或，具体地，1×10²⁰/cm³-1×10²¹/cm³浓度的稀有气体元素，和1×10¹⁵/cm³-1×10¹⁷/cm³浓度的氟。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在绝缘表面上形成结晶半导体膜；在所述结晶半导体膜的表面上形成阻挡层；通过等离子体CVD法在阻挡层上形成包含稀有气体元素的非晶半导体膜；通过吸取将结晶半导体膜中的金属元素除去或减少到所述包含稀有气体元素的非晶半导体膜中；以及除去所述包含稀有气体元素的非晶半导体膜，其中通过等离子体CVD法用硅烷、稀有气体和氢作为起始气体形成所述包含稀有气体元素的非晶半导体膜。