| 发明名称 | 凸点光刻机的曝光方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种凸点光刻机的曝光方法，该方法首先获取前道工序晶圆片信息及曝光场数据，并通过覆盖式优化图形规划，将若干个前道曝光场合并扩大成新的后道曝光场，最后在所述覆盖式优化图形规划的基础上，对曝光场分布中新的曝光场进行曝光路径规划和批处理流程规划。与现有技术相比，采用本发明的凸点光刻机的曝光方法能够提高凸点光刻机的曝光产率。 | ||
| 申请公布号 | CN101086627A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200710040350.0 | 申请日期 | 2007.04.29 |
| 申请人 | 上海微电子装备有限公司 | 发明人 | 姚名;何乐;陈敏;王彦麟 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);G06F17/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1、一种凸点光刻机的曝光方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：获取前道工序晶圆片信息及曝光场数据；通过覆盖式优化图形规划，将若干个前道曝光场合并扩大成新的后道曝光场；在所述覆盖式优化图形规划的基础上，对曝光场分布中新的曝光场进行曝光路径规划和批处理流程规划。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技园区张东路1525号 | ||