发明名称 |
聚电解质/CdTe纳米复合薄膜的制备方法 |
摘要 |
聚电解质/CdTe纳米复合薄膜的制备方法,涉及一种通过静电自组装制备聚电解质和CdTe纳米晶复合薄膜的方法。先制备CdTe纳米晶溶胶,再将石英基片处理成表面带正电荷或带负电荷,然后配置浓度为0.01~2.0mol·L<SUP>-1</SUP>、pH为6~12的阳离子或阴离子聚电解质溶液,最后采用静电自组装方法,将石英基片放入与其表面带相反电荷的聚电解质中,重复“阳离子聚电解质-阴离子聚电解质-阳离子聚电解质”或“阴离子聚电解质-阳离子聚电解质”操作,形成所需层数的聚电解质层,再在其上组装一层CdTe纳米晶。重复以上操作即得所需层数的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜。本发明能精确控制薄膜厚度,设备简单,操作方便,对环境无污染,制备多层薄膜速度快,复合薄膜的均匀性和柔韧性均好。 |
申请公布号 |
CN101085840A |
申请公布日期 |
2007.12.12 |
申请号 |
CN200710041832.8 |
申请日期 |
2007.06.11 |
申请人 |
同济大学 |
发明人 |
甘礼华;孙颖;刘明贤;王京红;陈龙武 |
分类号 |
C08J5/18(2006.01);C08L25/06(2006.01);C08L33/04(2006.01);C08K3/10(2006.01) |
主分类号 |
C08J5/18(2006.01) |
代理机构 |
上海德昭知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陈龙梅 |
主权项 |
1.聚电解质/CdTe纳米复合薄膜的制备方法,先制备CdTe纳米晶溶胶,再将石英基片处理成表面带正电荷或带负电荷,然后配置浓度为0.01~2.0mol·L-1、pH为6~12的阳离子或阴离子聚电解质溶液,其特征在于:采用静电自组装方法在石英基片上制备聚电解质和CdTe纳米复合薄膜,当石英基片表面带负电时,先将石英基片放入阳离子聚电解质溶液中浸渍5~50min,高纯水淋洗,晾干;再将此石英基片放入阴离子聚电解质溶液中浸渍5~50min,高纯水淋洗,晾干;然后再将此基片放入阳离子聚电解质溶液中浸渍5~50min,淋洗,晾干;这样可以在石英基片表面得到一层复合的聚电解质层,重复上述的“阳离子聚电解质-阴离子聚电解质-阳离子聚电解质”操作,可在石英基片表面形成应用所需层数的复合聚电解质层,最后将表面覆有聚电解质层的石英基片放入表面带负电荷的CdTe纳米晶溶胶中浸渍5~50min,高纯水淋洗,晾干,获得一层CdTe纳米复合薄膜;重复以上的聚电解质层和纳米晶溶胶浸渍,淋洗,晾干操作,即组装获得应用所需层数的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜;当石英基片表面带正电时,将石英基片先放入阴离子聚电解质溶液中浸渍5~50min,高纯水淋洗,晾干;再将此石英基片放入阳离子聚电解质溶液中浸渍5~50min,淋洗,晾干;这样可以在石英基片表面得到一层复合的聚电解质层,重复上述的“阴离子聚电解质-阳离子聚电解质”操作可在石英基片表面形成应用所需层数的复合聚电解质层,最后将表面覆有聚电解质层的石英基片放入表面带负电荷的CdTe纳米晶溶胶中浸渍5~50min,淋洗,晾干,按此方法可获得一层CdTe纳米复合薄膜;重复以上的“聚电解质层-纳米晶”组装操作,可获得应用所需层数的聚电解质/CdTe纳米复合薄膜。 |
地址 |
200092上海市四平路1239号 |