制造利用于闸极结构中之闸极介电层的方法

摘要

本发明提供了形成一闸极介电层于基板上之方法。在一实施例中，此方法包括：形成一氧化矽层于矽基板上；藉由热制程来沉积一氮化矽层于该氧化矽层上，其中该氧化矽层与该氮化矽层系作为一闸极结构中之闸极介电层；以及热退火该基板。在另一实施例中，此方法包括：形成一氧化矽层于矽基板上，该氧化矽层之厚度小于15埃；电浆处理该氧化矽层；藉由热制程来沉积一氮化矽层于该氧化矽层上，该氮化矽层之厚度小于15埃，其中该氧化矽层与该氮化矽层系作为一闸极结构中之闸极介电层；电浆处理该氮化矽层；以及热退火该基板。