| 摘要 |
本发明的一种用于形成一个半导体元件的方法系解决在用于形成一个包含一凹陷区域的鳍状类型闸极的制程上的问题，例如，复杂的制程、低制造余裕、以及在形成精确的鳍状形状上的困难性。在一个用于形成一界定主动区域的隔离介电膜的制程中，一个氮化膜图案系以该氮化膜的尺寸是根据在一后续的制程步骤中所形成的一个鳍状类型主动区域中的一个鳍状部份的线宽而被调整的此种方式而被形成，并且一隔离介电膜系被形成在除了半导体基板的氮化膜图案之外的每个区域中。接着，一个凹陷系被蚀刻，并且该隔离介电膜系从一个其中该氮化膜图案的线宽被缩小至某个程度的区域被移除。因此，用于形成一个鳍状类型主动区域的制程边限系增加，并且一个鳍状部份的形状可精确地被调整，此一起对于半导体元件中改良的电气特性有所贡献。 |
