| 主权项 |
1.一种化学处理之积体构造包括经连接在一起之许多层压制件具有至少一个入口及至少一个出口形成在其中用以接收及卸下化学药品,及经形成通过它之至少一条三维之曲折通道以便容纳欲予处理之化学品,该通道系被连接至各入口和出口,该层压制件另外包括自周期表的第Ⅲ至第Ⅴ族中所选出之一种材料以及实施经定位之至少一种单元操作之设备而产生所意欲之控制以便处理化学品。2.如申请专利范围第1项之积体构造其中,层压制件另外包括自周期表中第ⅣA族所选出之一种物料。3.如申请专利范围第1项之积体构造其中,该层压制件另外包括由矽和锗所组成之该族中所选出之一种物料。4.如申请专利范围第1项之积体构造其中,配置层压制件以便容纳许多单元操作。5.如申请专利范围第1项之积体构造其中,将通道精确定向在接邻之层压件间。6.如申请专利范围第5项之积体构造其中,各通道是连续的,沿着其层压制件。7.如申请专利范围第5项之积体构造其中,各通道是断续性,沿着其层压制件,另外将各通道在接邻层压制件间予以连续对准。8.如申请专利范围第1项之积体构造其中,通道之截面其量度是自大约10至大约5000微米。9.如申请专利范围第1项之积体构造其中,实施至少一种单元操作之设备系自下列各单元所组成之该族中所选出:温度控制设备,压力控制设备,控制化学品逗留时间之设备,混合设备,热绝缘设备,分离器设备,光反应器设备,电化反应器设备及催化反应器设备。10.如申请专利范围第9项之积体构造其中,温度控制设备是联合一个或多个感测温度之设备及一个或多个热流动控制设备。11.如申请专利范围第10项之积体构造其中,热流动控制设备系由下列各单元所组成之该族中所选出:与积体构造相接触之一具电加热器,与积体构造相接触之具热交换器及用以传输辐射能之设备。12.如申请专利范围第10项之积体构造其中,热流动控制设备是经形成在一个或多个层压件中之一条三维之曲折通道其中该层压件具有经形成在其间之至少一个入口及至少一个出口,将该通道热耦合至至少一条三维之曲折通道(它容纳欲予处理之化学药品)。13.如申请专利范围第9项之积体构造其中,压力控制设备系由压力调整器及泵送设备所组成之该族中所选出。14.如申请专利范围第9项之积体构造其中,混合之设备是T--混合器。15.如申请专利范围第9项之积体构造其中,混合之设备是一具蛇形路径混合器。16.如申请专利范围第9项之积体构造其中,混合设备是T--混合器与蛇形路径混合器的联合体。17.如申请专利范围第9项之积体构造其中,热绝缘设备分隔许多个层压制件。18.一种制备化学处理之积体构造之方法包括:(a)处理许多层压制件(每一者具有一个顶部份和一个底部份和所需要之厚度)足以形成所需要之路径在其上或通过其中;该处理(a)系由化学蚀刻,电射钻孔和切割所组成之该族中所选出之一种程序而予以实施;(b)将各层压制件以精确对准方式堆叠并连合在一起而具有至少一个入口和至少一个出口形成在其中以便接收及卸出化学药品,及其中此等路径形成至少一个三维之曲折通道通过它以便容纳欲予处理之化学品,将该通道连接至各入口和各出口而内部组成层压制件包括自周期表中第Ⅲ至Ⅴ族所选出之一种物料;该层压制件另外包括由包括矽和锗之该族中所选出之一种物料;及(c)定位用以实施至少一个单元操作之一或数个设备而产生所需要之控制以便处理化学品。19.如申请专利范围第18项之装置其中,层压制件另外包括选自周期表中第ⅣA族之一种物料。图1是本发明装置的透视图。图2是如自上方所见之装置的分解透视图显示被使用以形成该构造之层压制件的顶表面。图3是如自下方所见之该装置的分解透视图显示被使用以形成该构造之层压制件的底表面。图4是沿着图1的截面线4--4所取之放大第一截面图。图5是沿着图1的截面线5--5所取之放大第二截面图。图6是一部份装置的分解透视图显示:第一层压制件的底表面和第二层压制件的顶表面,显示各间隙通过之典型排列及形成电加热器之喷涂金属图型。图7是装置的第二层压制件底部及装置的第三层压制件顶部的分解透视图显示:形成一阵列的混合元件之路径及分配歧管之配置。图7A是一部份图7的放大透视图显示:形成单一T形混合器和单一蛇形混合元件联合体之路径配置。图8是装置的第三层压制件底部和第四层压制件顶部的分解透视图显示:形成一支集合歧管之路径配置。图9是装置的第四层压制件底部和第五层压制件顶部的分解透视图显示:形成第一热障壁之路径配置。图10是装置的第五层压制件底部和第六层压制件顶部的分解透视图显示:形成第一热交换器组合体之路径的配置。图11是第六层压制件底部与第七层压制件顶部的分解透视图显示:形成螺旋形分离器组合器之路径配置。图12是装置的第七层压制件底部与第八层压制件顶部的分解透视图显示:形成第二热障壁之路径之配置。图13是装置的第八层压制件底部和第九层压制件顶部的分解透视图显示:形成第一部份的第二热交换器组合体之路径配置。图14是第九层压制件底部和第十层压制件顶部的分解透视图显示:形成第二部份的第二热交换器组合体之路径配置。图15是第十层压制件底部和第十一层压制件顶部的分解透视图显示:形成螺旋形路径光反应器组合体之路径配置。图16是第十层压制件底部和第十一层压制件顶部的第一交替配置之分解透视图显示:形成一个催化反应室之路径配置。图17是第十层压制件底部和第十一层压制件顶部的第二交替配置之分解透视图显示 |
