| 发明名称 | 具有带有阻挡层的半导体衬底的集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有带有阻挡层的半导体衬底的集成电路。该布置包括半导体衬底和金属元件。碳基阻挡层设置在半导体衬底和金属元件之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101355076A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200810144750.0 | 申请日期 | 2008.07.28 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 斯特凡·德廷格;艾尔弗雷德·马丁;芭芭拉·哈斯勒;格里特·佐默;弗洛里安·宾德尔 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L23/482(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/60(2006.01);B81B7/00(2006.01);B81C1/00(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;李慧 |
| 主权项 | 1.一种具有半导体布置的集成电路，包括：半导体衬底；金属元件；以及碳基阻挡层，所述碳基阻挡层被设置在所述半导体衬底和所述金属元件之间。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||