使用从惰性气体形成的亚稳态体的原子层蚀刻

摘要

本发明公开了用于蚀刻原子层的衬底处理系统和方法。所述方法和系统被配置为将第一气体引入所述室，该气体是适合于蚀刻所述层的蚀刻剂气体，且允许所述第一气体存在于所述室中持续足以造成所述第一气体中的至少一些吸附到所述层的一段时间。用惰性气体实质上置换在所述室内的所述第一气体，然后从惰性气体产生亚稳态体以用所述亚稳态体蚀刻层，同时实质上防止所述等离子体带电物质蚀刻所述层。

主权项

一种用于蚀刻在半导体处理室中的衬底上的层的方法，所述半导体处理室具有等离子体产生区域和衬底处理区域，所述等离子体产生区域通过分隔板结构与所述衬底处理区域分隔，所述方法包括：将第一气体引入所述半导体处理室的所述衬底处理区域，所述第一气体是适合于蚀刻所述层的蚀刻剂气体；将惰性气体引入所述等离子体产生区域，使得在所述等离子体产生区域中的所述惰性气体的压强大于在所述衬底处理区域中的所述蚀刻剂气体的压强；允许所述第一气体存在于所述半导体处理室的所述衬底处理区域中持续足以造成所述第一气体中的至少一些吸附到所述层的一段时间；在所述一段时间结束之后，用所述惰性气体置换在所述半导体处理室内的所述第一气体中的至少80％；从所述惰性气体产生亚稳态体；以及用所述亚稳态体蚀刻所述层。