| 发明名称 | 用于半导体器件的边缘终止和对应的制造方法 | ||
| 摘要 | 描述垂直DMOSFET或IGBT的终止区（4），其中表面p环（10）与氧化物/多晶硅填充的沟槽（40）、掩埋p环（41）和可选的表面场板（11）组合，以便在终止区（4）中获得电势场线（7）的改进分布。表面环终止（10，11）和深环终止（41）的组合提供终止区（4）面积的明显减少。 | ||
| 申请公布号 | CN105814690A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201480068737.5 | 申请日期 | 2014.12.03 |
| 申请人 | ABB 技术有限公司 | 发明人 | M.安托尼奧;F.尤德里;I.尼斯托;M.拉希莫;C.科瓦斯塞 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张金金;王传道 |
| 主权项 | 一种制造半导体功率器件的方法，其中所述半导体功率器件包括具有有源单元区（3）的半导体衬底（6），所述有源单元区（3）包括第一传导类型的漂移层和直至衬底边缘的边缘终止区（4），并且其中所述方法包括：在所述边缘终止区（4）的表面中形成与所述第一传导类型不同的第二传导类型的多个表面保护环（10）的第一步骤，所述多个表面保护环（10）彼此分离，去除衬底材料（6）以便形成从所述边缘终止区（4）的表面向下延伸的多个终止沟槽（40）的第二步骤，使得每个表面保护环（10）在朝着所述衬底边缘的侧上邻接相邻终止沟槽（40）并且所述漂移层在朝着所述有源单元区（3）侧上邻接所述终止沟槽（40），在邻近每个终止沟槽（40）底部的衬底材料中形成第二传导类型的掩埋保护环（41）的第三步骤，以及用介电材料或传导材料填充每个终止沟槽（40）的第四步骤。 | ||
| 地址 | 瑞士苏黎世 | ||