| 摘要 |
ｎ型シリコン基板１の第１主面１Ａ、側面１Ｃおよび第２主面１Ｂの周縁部には、第１の非晶質シリコンｉ層２および非晶質シリコンｐ層４を備えている。一方、第１主面１Ａおよび側面１Ｃに第１のＩＴＯ層６を有し、第２主面１Ｂ上に第２の非晶質シリコンｉ層３および非晶質シリコンｎ層５を備え、その上に周縁部を残し、ｎ型シリコン基板１よりも小面積の第２のＩＴＯ層７を有している。そして、第２主面１Ｂ上の周縁部には、第１の非晶質シリコンｉ層２、非晶質シリコンｐ層４、第２の非晶質シリコンｉ層３、非晶質シリコンｎ層５をこの順に積層された構造を有する。従って追加のプロセスなしで第１および第２のＩＴＯ層６，７の分離が可能となり、リーク電流を防ぐことができる。そして、端部においてもそれぞれの膜の順序を確保し、電荷の流れを正常に維持することで、集電効果を発揮し電池機能を発揮せしめ得るようにし有効面積を最大にする。 |
