| 摘要 |
不揮発性連想メモリセルは、第１及び第２の抵抗変化素子Ｒｊ，Ｒｊｂを含む。第１及び第２の抵抗変化素子の一方の端子ｎ２、ｎ３には、ワード線ＷＬにゲートが共通接続されたトランジスタＭ３，Ｍ４を介してビット線ＢＬ，／ＢＬがそれぞれ接続され、他方の端子にはプレート線ＰＬが共通接続される。また、第１及び第２の抵抗変化素子の一方の端子には、サーチ線ＳＬ，／ＳＬがそれぞれゲートに接続されたトランジスタＭ１，Ｍ２が接続される。トランジスタＭ１，Ｍ２には、トランジスタＭ５を介して電源が接続されるとともにトランジスタＭ６を介して出力線であるマッチ線ＭＬに接続される。 |
