多晶硅薄膜层淀积方法

摘要

一种多晶硅薄膜层淀积方法，包括：提供基底，同一所述基底表面形成有不同材料层，各材料层位于不同区域，或者，至少两个所述基底表面形成有不同的材料层；将所述基底放入反应腔；往所述反应腔内通入预淀积气体，进行预淀积，在所述基底上形成第一多晶硅薄膜层；其中所述预淀积气体包括稀释气体和含硅气体，所述含硅气体的体积比为1%‑50%，所述预淀积气体的流速为100‑1000sccm；往所述反应腔内通入主淀积气体，进行主淀积，在所述第一多晶硅薄膜层上形成第二多晶硅薄膜层，所述主淀积气体为含硅气体或包括含硅气体与稀释气体。通过该多晶硅薄膜层淀积方法，可以得到厚度精确和厚度均一的多晶硅薄膜层。

主权项

一种多晶硅薄膜层淀积方法，其特征在于，包括：提供基底，同一所述基底表面形成有不同材料层，各材料层位于不同区域，或者，至少两个所述基底表面形成有不同的材料层；将所述基底放入反应腔；往所述反应腔内通入预淀积气体，进行预淀积；其中所述预淀积气体包括稀释气体和含硅气体，所述含硅气体的体积比为1％‑50％，所述预淀积气体的流速为100‑1000sccm，用于减小淀积开始时由于多晶硅形核选择性带来的厚度差异，在所述基底上得到厚度均一的第一多晶硅薄膜层；往所述反应腔内通入主淀积气体，进行主淀积，所述主淀积气体为含硅气体或包括含硅气体与稀释气体，所述主淀积的淀积速率大于所述预淀积的淀积速率，用于在所述第一多晶硅薄膜层上快速形成第二多晶硅薄膜层。