发明名称 |
调整等离子体处理系统的方位非均匀性的对称返回衬垫 |
摘要 |
本发明涉及调整等离子体处理系统的方位非均匀性的对称返回衬垫,公开了用于调整等离子体处理室中的方位非均匀性的方法和装置。装置包括具有等离子体处理室和室衬的等离子体处理系统。调整方位非均匀性包括提供成组的导电带以将室衬连接至接地环,其中该成组的导电带中的导电带数量大于8。替代地或另外地,镜像切口针对室衬中的配对的现有切口或端口而提供。替代地或另外地,室衬具有针对配对结构而提供的虚设结构,该配对结构阻碍室中的气流和RF返回电流中的至少一者。 |
申请公布号 |
CN103632916B |
申请公布日期 |
2016.08.10 |
申请号 |
CN201310380150.5 |
申请日期 |
2013.08.27 |
申请人 |
朗姆研究公司 |
发明人 |
陶玄浩;洪俊杰;保罗·赖卡特 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
李献忠 |
主权项 |
一种具有用于处理衬底的等离子体处理室的等离子体处理系统,所述等离子体处理室包括:衬底支撑件,其用于在所述处理过程中支撑所述衬底;室壁;以及室衬,其至少部分地衬托所述室壁的内表面,其中所述室衬包括至少一个镜像切口,该至少一个镜像切口被构造来映射所述室衬中的现有切口和现有端口中的一个;其中所述室衬还包括连接至所述室衬的内表面的虚设结构,该虚设结构被配置成改变气流或RF返回电流以补偿由所述等离子体处理室中的现有阻碍结构呈给气流或RF返回电流的阻碍;其中所述虚设结构位于所述室衬中的所述现有阻碍结构的对面180度处;其中所述现有阻碍结构是支撑所述等离子体处理室中的下电极的悬臂。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |