发明名称 二步骤之电化学镁涂覆方法
摘要 揭示涂覆镁及其合金的二步法,第一步包含将镁细工品浸渍于含有约重量百分之3至10的氢氧化物及约重量百分之5至30的氟化物且酸硷值约为5至8无矽酸盐的第一个电化学溶液中。以将电流密度控制在约10至200毫安培 / 平方公分的方式使设定在由预处理过的物品构成的阳极与也和电解溶液接触的阴极之间的电位差增加。接下来将物品浸渍于酸硷值约为11的电解水溶液中,以含水溶性氢氧化物,水溶性氟化物原料及水溶性矽酸盐等成份制备该溶液,彼等的加入量会得到每升溶液约2至15克的氢氧化物,每升溶液约2至14克的氟化物及每升溶液约5至40克的矽酸盐,再以将电流密度控制在约5至100毫安培 / 平方公分的方式使设定在由预处理过的物品构成的阳极与也和电解溶液接触的阴极之间的电位差至少增加约150V。本方法得到的上等涂层会增加耐磨性及抗蚀性。
申请公布号 TW236646 申请公布日期 1994.12.21
申请号 TW081104785 申请日期 1992.06.18
申请人 工业应用集团公司 发明人 厄尔.尔.渥尔塞;布莱安.伊.雷宓克斯;杜安.伊.巴达克
分类号 C25D11/30 主分类号 C25D11/30
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种在含镁物品上形成使抗蚀性改进的涂层之方法,包括:(a)将物品放入具有酸硷値至少为11的第一步无矽酸盐的电解水溶液中,该溶液包含:(i)3至10克/升的水溶性氢氧化物;及(ii)5至30克/升的水溶性氟化物;(b)设定10至200毫安培/平方公分的电流密度使在含有物品的第一步阳极与电解溶液中的第一步阴极之间产生的电位差一直增加到180V,在物品的表面上得到实质上是连续的第一层以形成预处理过的物品,该层包含氟化物、氧化物、氧化氟化物或彼等的混合物;(c)将预处理过的物品放入具有酸硷値至少为11的第二步电解水溶液中,该溶液包含:(i)2至15克/升的水溶性氢氧化物;(ii)2至14克/升的水溶性氟化物来源;及(iii)5至40克/升硷金属矽酸盐;(d)设定5至100毫安培/平方公分的电流密度使在产生火花放电的条件下由预处理过的物品构成的第二步阳极与电解溶液中的阴极之间产生至少150V的电位差;在此使物品上形成含有氧化矽及含氧化镁的涂层。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤(a)的氢氧化物包含硷金属氢氧化物。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤(a)的氟化物是选自由氟化钠,氟化钾,氢氟酸,氟化锂及彼等的混合物等构成的族群。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中第一个溶液的温度为5至30℃。5.根据申请专利范围第1项之方法,进一步包含使第一步的阳极及阴极与第一步的电源相连。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中第一步的电源是以全波整流的交流电源。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤(c)的氢氧化物包含硷金属氢氧化物。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤(c)的氟化物原料是选自由硷金属氟化物,硷金属氟化矽酸盐,氟化氢及彼等的混合物等构成的族群。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中步骤(c)的氟化物是选自由氟化钠,氟化钾,氢氟酸,氟化锂及彼等的混合物等构成的族群。10.根据申请专利范围第8项之方法,其中步骤(c)的氟化矽酸盐是选自由氟化矽酸钾,氟化矽酸钠,氟化矽酸锂及彼等的混合物等构成的族群。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤(c)的矽酸盐是选自由矽酸钾,矽酸钠,矽酸锂,氟化矽酸钠,氟化矽酸钾,氟化矽酸锂及彼等的混合物等构成的族群。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中第二个溶液的温度为5至35℃。13.根据申请专利范围第1项之方法,进一步包含使第二步的阳极及阴极与第二步的电源相连。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中第二步的电源是以全波整流的交流电源。15.根据申请专利范围第1项之方法,进一步包含密封的含氧化矽涂层。16.根据申请专利范围第1项之方法,该方法实质上是不含铬(VI)。17.一种在含镁物品上形成使抗蚀性改进的涂层之方法,包括:(a)将物品放入具有酸硷値至少为11的第一步无矽酸盐的电解水溶液中,该溶液包含:(i)3至10克/升的水溶性氢氧化物;及(ii)5至30克/升的水溶性氟化物;(b)设定10至200毫安培/平方公分的电流密度使在含有物品的第一步阳极与电解溶液中的第一步阴极之间产生的电位差一直增加到180V,在物品的表面上得到实质上是连续的第一层以形成预处理过的物品,该层是氟化物,氧化物或彼等的混合物;(c)将预处理过的物品放入具有酸硷値至少为11的第二步电解水溶液中,该溶液包含:(i)2至15克/升的水溶性氢氧化物;及(ii)2至40克/升的硷金属氟化矽酸盐;(d)设定5至100毫安培/平方公分的电流密度使在产生火花放电的条件下由预处理过的物品构成的第二步阳极与电解溶液中的阴极之间产生至少150V的电位差;在此使物品上形成含有氧化矽的涂层。图1是图解以本发明所涂覆含镁物品的横截面。图2是本发明的方块图。图3是本发明电化学法的流程图。图4是在含镁的基片与按照本发明的涂层之间以扫瞄式电子显微镜照相的横截面。
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