| 摘要 |
반도체 디바이스는 반도체 기판 위에 배치된 격리 구조물 내에 임베딩된 제1 핀 피처를 포함하며, 제1 핀 구조물은 제1 측벽, 이와 반대쪽의 제2 측벽, 및 제1 측벽에서부터 제2 측벽까지 연장하는 최상단면을 갖는다. 반도체 디바이스는 또한 격리 구조물 위에 배치되고 제3 측벽과 제4 측벽을 갖는 제2 핀 피처를 포함한다. 제3 측벽은 제1 핀 구조물의 제1 측벽과 정렬된다. 반도체 디바이스는 제1 핀 구조물의 최상단면, 제2 핀 피처의 제3 측벽과 제4 측벽 바로 위에 배치된 게이트 유전체층, 및 게이트 유전체층 위에 배치된 게이트 전극을 포함한다. |
