| 发明名称 | 双端磁控溅射离子镀膜机 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及的是一种双端磁控溅射离子镀膜机，由真空室和传输机构组成。其中真空室包括前、后锁室、溅射区、隔离区和压差室，真空室内设置有加热装置和溅射靶、偏压装置，在前锁室上开有入口，后锁室上开有出口，在真空室壁上设有穿越口。本实用新型具有长度尺寸小，从而投资小，生产节拍快，具有多种功能，既可以镀热反射玻璃，也可以镀低辐射玻璃，还可以在瓷砖、钢板上镀膜以及在有一定曲面的板上镀膜，且膜的附着力，膜厚的均匀性都明显改善，从而大大提高产品的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN2186249Y | 申请公布日期 | 1994.12.28 |
| 申请号 | CN94237225.5 | 申请日期 | 1994.04.27 |
| 申请人 | 长沙国防科技大学八达薄膜电子技术研究所 | 发明人 | 彭传才;魏敏;胡云慧;田雨时;刘重光;金昭廷;黄广连 |
| 分类号 | C23C14/35 | 主分类号 | C23C14/35 |
| 代理机构 | 湖南省专利服务中心 | 代理人 | 乔清杰 |
| 主权项 | 1、一种双端磁控溅射离子镀膜机，由真空室和传输机构组成，本实用新型的特征是真空室包括前、后锁室(1)、(7)、溅射区、压差室(4)和由溅射区隔离出来的隔离区，其中在压差室(4)和其前面的隔离区和前锁室(1)内设有加热装置(11)，在溅射区内设有溅射靶(12)和偏压装置(13)，在前锁室(1)上开有入口，后锁室(7)上开有出口，在各个真空壁(15)上设有穿越口。 | ||
| 地址 | 410073湖南省长沙市国防科技大学四系 | ||