| 发明名称 |
Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von Silicium bei niedrigen Temperaturen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1900116(A1) |
申请公布日期 |
1970.08.06 |
| 申请号 |
DE19691900116 |
申请日期 |
1969.01.02 |
| 申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
SIRTL,DR.DIPL.-CHEM.ERHARD |
| 分类号 |
C30B25/10;C01B33/02;C23C16/48;C30B25/02;C30B29/06 |
主分类号 |
C30B25/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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