双井区的制造方法

摘要

一种双井区的制造方法，适用于半导体基板制造第一型及第二型井区，而上述双井区的制造方法包括下列步骤：掺植第一型杂质至上述半导体基板；于上述半导体基板之欲形成上述第一型井区处上形成遮蔽物；以上述遮蔽物为罩幕，掺植第二型杂质至上述半导体基板之欲形成上述第二型井区处；以及将上述第一型杂质及第二型杂质予以驱入，而形成上述第一型区井及第二型井区。

主权项

1.一种双井区的制造方法,适用于半导体基板制造第一型及第二型井区,而上述双井区的制造方法包括下列步骤:掺植第一型杂质至上述半导体基板;于上述半导体基板之欲形成上述第一型井区处上形成遮蔽物;以上述遮蔽物为罩幕,掺植第二型杂质至上述半导体基板之欲形成上述第二型井区处;以及将上述第一型杂质及第二型杂质予以驱入,而形成上述第一型区井及第二型井区。2.如申请专利范围第1项所述之双井区的制造方法,其中,于掺植上述第二型杂质之前,先以上述遮蔽物为罩幕,将位于上述第二型区处的第一型杂质去除。3.如申请专利范围第1或2项所述之双井区的制造方法,其中,更包括于上述第一型井区及第二型井区上形成场区氧化物,以界定出元件区的步骤。4.如申请专利范围第3项所述之双井区的制造方法,其中,更包括于上述场区氧化物下形成通道停止区的步骤。5.如申请专利范围第4项所述之双井区的制造方法,其中,上述第一型为N型,而上述第二型为P型。6.如申请专利范围第4项所述之双井区的制造方法,其中,上述第一型为P型,而上述第二型为N型。第1图系显示用以说明习知双井区的制造方法的剖面图;以及第2图系