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发明名称 TEST STRUCTURE FOR ELECTRICALLY MEASURING OFF-CENTRE CONDITION OF GATE REGIONS IN RESPECT TO DIFFUSION REGIONS IN MOS-CIRCUITS WITH METALLIC GATES
摘要
申请公布号 PL139160(B1) 申请公布日期 1986.12.31
申请号 PL19830242267 申请日期 1983.05.30
申请人 发明人
分类号 H01L;H01L21/66;(IPC1-7):H01L21/66 主分类号 H01L
代理机构 代理人
主权项
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