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发明名称
高功率激光二极管列阵的微通道冷却封装组件
摘要
本发明与高功率激光二极管列阵有效冷却方式有关。该组件由硅片-玻璃片-硅片粘合而成,13mm×13mm×1mm。硅片内侧有化学蚀刻的200条微通道,二极管条粘附在微通道背面。泵送高压冷却液从中流过,实现冷却。本发明提出更有效的方法,在一次工艺中完成夹心层的粘合。本发明是将硅片,玻璃片,硅片三层材料叠好,放在恒温炉中两电极间实现,用于玻璃与金属(单晶)之间的粘合。
申请公布号
CN1208274A
申请公布日期
1999.02.17
申请号
CN98102464.5
申请日期
1998.06.26
申请人
重庆师范学院;成都华民实业有限责任公司
发明人
戴特力
分类号
H01S3/043;H01S3/042
主分类号
H01S3/043
代理机构
代理人
主权项
1.高功率激光二极管列阵的微通道冷却封装组件制作过程中,夹心层电场粘合(SandwichElectric-Field bonding)工艺是将硅片(上)-玻璃片-硅片(下)未粘合组件放在两电极之间,用一定的压力使硅片(上),玻璃片和硅片(下)的四个超净光学表面,在硅片(上)-玻璃片和玻璃片-硅片(下)两个界面间紧密接触。但电极间绝缘。然后置于恒温炉中以每小时50~100℃的速率升温到550℃。在此过程中,将静电场正负极加在两电极上,比如硅片(下)为正极,硅片(上)为负极。电压从低到高缓慢调节,其最大值视夹心层厚度而定,比如,玻璃片厚0.5mm时,最大电压为~800v。恒温恒压维持2小时后,温度保持不变,静电场缓降为零。利用电路中已经接入的双刀双掷开关使电极反向,即硅片(下)为负极,硅片(上)为正极。再缓慢增加静电场电压,达到~800v。恒温恒压2小时后,以每小时50~100℃速率将温度降到室温,便可得到微通道组件的坯件。此工艺过程可在空气中进行,也可在真空中或惰性气体的气氛中进行。该夹心层电场粘合工艺的特征是:硅片(下)-玻璃片粘合之后,不缓慢降温,也不取出双层结构重新清洗后再进行玻璃片-硅片(上)两个界面的粘合过程。而是一次工艺中分两个步骤完成硅片(下)-玻璃片和玻璃片-硅片(上)两个界面的粘合。这不仅缩短了工艺时间,更重要的是防止了玻璃片光学表面在第一次高温粘合中损伤,致使第二次与硅片(上)粘合十分困难。工艺结果已证明,夹心层电场粘合工艺不仅缩短了工艺,而且提高了粘合强度。
地址
400047重庆市沙坪坝区
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