发明名称 半导体或绝缘材料层的机械-化学新抛光方法
摘要 半导体材料层或绝缘材料层的机械-化学研磨方法,半导体材料比如是多晶硅、外延单晶硅、非晶硅;绝缘材料比如是磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃,这都是在半导体微电子工艺中常用的,不包括制作集成电路板时所用的初制硅,在该方法中对半导体材料层或绝缘层进行研磨主要是借助一种浸润了研磨组合物的织物去摩擦所述材料层,研磨剂含有中性或接近中性pH的单颗粒化胶质二氧化硅微粒的含水悬浮液,这些微粒之间没有由于硅氧烷键合而彼此粘结,还含一些作为悬浮介质的水。
申请公布号 CN1208248A 申请公布日期 1999.02.17
申请号 CN98109693.X 申请日期 1998.04.07
申请人 科莱恩(法国)公司 发明人 E·杰克奎诺特;M·里沃尔;C·厄吾拉德
分类号 H01L21/302;C09G1/02;B24B1/00 主分类号 H01L21/302
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王杰
主权项 1.一种半导体材料或绝缘材料层的机械-化学抛光方法,所谓半导体材料比如是多晶硅、外延单晶硅、非晶硅;绝缘材料比如是在半导体微电子学工艺中所用的磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃,不包括制作集成电路板时所用的粗制硅,在该方法中对半导体材料层或绝缘材料层进行研磨是借助了一种浸渍有研磨剂组合物的织物对所述材料层进行摩擦,该方法的特征在于:研磨剂含有中性或接近中性pH的胶态二氧化硅含水悬浮液,它含有彼此没有通过硅氧烷键而彼此粘结的单个颗粒化的胶态二氧化硅微粒,还含有一些作为悬浮介质的水。
地址 法国普多