| 摘要 |
<p>Bekannt ist, einen photosensitiven Wellenleiter-Kern einem optischen Interferenzmuster auszusetzen, welches unter Verwendung einer Phasenmaske erzeugt wird. Die genaue Positionierung der Phasenmaske über dem optischen Wellenleiter ist jedoch schwierig, wenn mehrere Bragg-Gitter auf engem Raum erzeugt werden sollen. Die Erfindung löst die Aufgabe, praktisch beliebig definierte Brechzahl-Gitter hochpräzise in einem Wellenleiter-Kern eines optischen Wellenleiters ohne die Verwendung von Phasenmasken herzustellen. Dazu wird eine Pufferschicht des optischen Wellenleiters, vorzugsweise dessen Deckschicht (CLA), so strukturiert, daß ein auf den Wellenleiter gerichteter UV-Laser im Wellenleiter-Kern (COR) ein optisches Interferenzmuster erzeugt und dadurch ein Bragg-Gitter einprägt. Die Strukturierung (GST) wird vorzugsweise durch Ätzen erzeugt. <IMAGE></p> |
